物質の絶縁破壊電界・帯電列. 物質の絶縁破壊電界.

http://www4.ocn.ne.jp/~katonet/kagaku/taiden.htm

サージが加わったとき、 不平等電界で空気が絶縁破壊する電解強度はどの程度でしょ うか？ 数値等が記載されている ... 不平等電界だと、場所によって電界の強さが大きく 異なります。 絶縁破壊する電界の強さ自体は、電界が最大のところで ...

http://okwave.jp/qa/q7414287.html

破壊電界が10倍ですから，耐圧絶縁領域n−をSiに比. べ1/10の厚さにできます． 図 1 の ... 絶縁破壊. 電界10倍. 耐圧絶縁領域n型SiC層. SiCパワーMOSFETは耐圧絶縁 領域膜厚を. 1/10にでき，電子濃度が100倍になる． これが定常損失の低減（1/620）に ...

http://toragi.cqpub.co.jp/Portals/0/backnumber/2004/12/p197-198.pdf

電界絶縁破壊を英語に訳すと field breakdown - 約886万語ある英和辞典・和英辞典。 発音・イディオムも分かる英語辞書。

http://ejje.weblio.jp/content/%E9%9B%BB%E7%95%8C%E7%B5%B6%E7%B8%81%E7%A0%B4%E5%A3%8A

放電（ほうでん）は電極間にかかる電位差によって、電極間に存在する気体に絶縁破壊 が生じ電子が放出され、電流が流れる現象 ... 電流を伝えるものは、電極から供給され る電子、空気中にある宇宙線などにより電離されていたイオン、電界中で加速された 電子 ...

http://ja.wikipedia.org/wiki/%E6%94%BE%E9%9B%BB

絶縁破壊（ぜつえんはかい）とは、電気・電力・電子回路やその部品において、導体間を 隔離している絶縁体（非導電性物質や空気層など）が破壊され、絶縁状態が保て なくなる事を言う。 電線路やモーターなどの電気機器においては、短絡（ショート）を防ぐ ため ...

http://ja.wikipedia.org/wiki/%E7%B5%B6%E7%B8%81%E7%A0%B4%E5%A3%8A

2005年3月28日 ... 炭化珪素（SiC）は、シリコン（Si）と比較してバンドギャップ幅が約3倍広く、絶縁破壊 電界強度が約10倍大きいため、耐熱性や耐電圧性に優れ、Siに置き換わる超低電力 損失パワー素子の半導体材料として注目されており、世界中で研究・開発 ...

http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2005/pr20050328/pr20050328.html

サージが加わったとき、不平等電界で空気が絶縁破壊する電解強度はどの程度でしょ うか？数値等が記載されている文献がありましたら教えてください。ITmediaのQ＆amp;A サイト。IT関連を中心に皆さんのお悩み・疑問をコミュニティで解決。

http://qa.itmedia.co.jp/qa7414287.html

したがって、絶縁材料開発には高電界における電気伝導や絶縁破壊などを解明する 必要がありますが、これら特性の測定がうまくいかないことがよくあります。例えば、電気 絶縁破壊の測定では試料に電圧を印加し、その絶縁破壊電圧を測定しますが、JIS規格 ...

http://www.tut.ac.jp/teach/main.php?mode=detail&article=696

ギャップ半導体であるGaNは，SiC（炭化シリコン）と同. 様に，Siと比較してバンド ギャップが約3倍大きく，絶縁. 破壊電界は1桁大きい。オン抵抗の材料限界は絶縁破壊 電. 界の3乗に反比例するため，GaNデバイスでは理論上Si限. 界の約3桁の低オン 抵抗化が ...

http://panasonic.co.jp/ptj/v5502/pdf/0105.pdf